產(chǎn)地廣東
品牌鼎偉新材料
貨號陶瓷靶材
品名氮化物靶材
純度99.9%
因為GaN是寬禁帶半導(dǎo)體,極性太大,則較難以通過高摻雜來獲得較好的金屬-半導(dǎo)體的歐姆接觸,這是GaN器件制造中的一個難題,故GaN器件性能的好壞往往與歐姆接觸的制作結(jié)果有關(guān)?,F(xiàn)在比較好的一種解決辦法就是采用異質(zhì)結(jié),首先讓禁帶寬度逐漸過渡到較小一些,然后再采用高摻雜來實現(xiàn)歐姆接觸,但這種工藝較復(fù)雜??傊瑲W姆接觸是GaN器件制造中需要很好解決的一個主要問題。
AlN可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高,且強度隨溫度的升高下降較慢。導(dǎo)熱性好,熱膨脹系數(shù)小,是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強,是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望?;壉砻娴牡X涂層,能保護(hù)它在退火時免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應(yīng).可由在氨或氮氣氛中800~1000℃合成,產(chǎn)物為白色到灰藍(lán)色粉末?;蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應(yīng)合成,產(chǎn)物為灰白色粉末?;蚵然X與氨經(jīng)氣相反應(yīng)制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過氣相沉積法合成
氮化鋁靶材,共價鍵化合物,是原子晶體,屬類金剛石氮化物、六方晶系,纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu),無毒,呈白色或灰白色
TiN有著誘人的金、熔點高、硬度大、化學(xué)穩(wěn)定性好、與金屬的潤濕小的結(jié)構(gòu)材料、并具有較高的導(dǎo)電性和超導(dǎo)性,可應(yīng)用于高溫結(jié)構(gòu)材料和超導(dǎo)材料
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