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高純鉻靶的目標(biāo)雜質(zhì)控制:如果靶中的夾雜物數(shù)量過多,則在濺射過程中可能在晶片上形成顆粒,從而導(dǎo)致互連線短路或斷開,這將嚴(yán)重影響膜的性能。高純鉻靶中的大多數(shù)夾雜物是在冶煉和鑄造過程中形成的,主要由氧化物組成,但也包括氮化物,碳化物,氫化物,硫化物,硅化物等,因此應(yīng)在冶煉和鑄造過程中使用。坩堝,內(nèi)部 流道,鑄模等由還原性材料制成,在澆鑄之前,應(yīng)將熔體表面的氧化物和其他爐渣徹底清除。 通常,它們?cè)谡婵栈驘o氧環(huán)境中熔融并澆鑄。鉻靶批發(fā)、鉻靶價(jià)格在市場(chǎng)也是不一樣的。
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